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鋁酸鑭基片上沉積制備納尺度的銅薄膜，超微量天平精準(zhǔn)測(cè)量沉積質(zhì)量
來源：第十二屆全國(guó)物理力學(xué)學(xué)術(shù)會(huì)議論文 瀏覽 656 次 發(fā)布時(shí)間:2025-02-11
摘要：在稀薄氧壓下，用電子束蒸發(fā)的方法在鋁酸鑭（LaAlO3）基片上沉積制備納尺度的銅薄膜?；诔⒘刻炱綄?duì)沉積質(zhì)量的精確測(cè)量，以及ICP-AES對(duì)薄膜中金屬元素的準(zhǔn)確分析，研究了基片溫度和氧分壓對(duì)銅原子在鋁酸鑭基片表面吸附系數(shù)的影響。同時(shí)，用超微量天平精確測(cè)量沉積薄膜的總質(zhì)量，并用ICP-AES分析薄膜中銅元素的質(zhì)量，進(jìn)而確定了納尺度銅薄膜的氧化程度，通過改變氧分壓和基片溫度，獲得了銅薄膜的氧化程度與氧分壓和基片溫度之間的關(guān)系。用XRD分析了薄膜結(jié)構(gòu)，用SEM觀察了薄膜表面形貌，這些研究結(jié)果為三源共蒸發(fā)原位制備YBCO薄膜中基片溫度和氧分壓的選擇提供了依據(jù)。
圖1. 在CO2飽和的0.1 M KHCO3/H2O電解質(zhì)中，（a）制備前銅薄膜和（b）陽(yáng)極氧化銅薄膜在1700-2300 cm-1區(qū)域的原位SEIRAS光譜。0 V處的光譜用作背景。